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型号 PSMN1R6-30BL,118
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N CH 30V 100A D2PAK
PSMN1R6-30BL,118 PDF
代理商 PSMN1R6-30BL,118
标准包装 800
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 1.9 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 212nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 12493pF @ 15V
功率 - 最大 306W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
其它名称 568-9481-2
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